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“SP0504S低电容ESD保护”参数说明
| 品牌： | D-first | 极性： | 双极性 |
| 封装及内部结构： | 贴片式/组件式 | 用途： | 通用型器件 |
| 型号： | RCLAMP0524P | 规格： | RCLAMP0524P |
| 产量： | 5000 |
“SP0504S低电容ESD保护”详细介绍
低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列
SP0504S
SPA SP0504S系列瞬态抑制二极管阵列规格书
0.85pF二极管阵列
断态电压（V）:6
I漏率（μA）:0.5
ESD触点（kV）:12
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3001规格书
65pF、8kV、低电容二极管阵列的ESD保护
断态电压（V）:6
I漏率（μA）:
0.5ESD触点（kV）:8
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3002规格书
0.85pF、12kV、低电容二极管阵列的ESD保护
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: , 0.5
ESD触点（kV）: 12
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3003规格书
用于ESD保护的0.65pF、8kV、低电容二极管阵列——符合AEC-Q101标准
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.5
ESD触点（kV）: 8
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3004规格书
0.85pF、12kV、低电容二极管阵列的ESD保护
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.5
ESD触点（kV）: 12
瞬态抑制二极管阵列SP3006规格书
0.5pF，8kV二极管阵列
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.5
ESD触点（kV）: 8
SPA SP3010系列瞬态抑制二极管阵列规格书
用于ESD保护的超低电容二极管阵列
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.5
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3011规格书
SP3011 SPA™ 瞬态抑制二极管阵列
断态电压（V）: 6
ESD触点（kV）: 8
静电放电（空气）（kV）: 15
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3012规格书
低电容ESD保护，0.5pF
断态电压（V）: 5
I漏率（μA）: 1.5
ESD触点（kV）: 12
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3021规格书
低电容ESD保护，0.5pF 8kV双向分散式TVS
断态电压（V）: 5
I漏率（μA）: 1
ESD触点（kV）: 8
瞬态抑制二极管阵列SP3030规格书
0.5pF 20kV单向分散式TVS——符合AEC-Q101标准
断态电压（V）: 5
I漏率（μA）: 0.1
ESD触点（kV）: 20
瞬态抑制二极管阵列SP3031规格书
低电容ESD保护，0.8pF 10kV单向分散式TVS
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.1
ESD触点（kV）: 30
用于ESD和浪涌保护的2pF、20kV低电容二极管阵列 SRV05-4HTG
SP0504S
SPA SP0504S系列瞬态抑制二极管阵列规格书
0.85pF二极管阵列
断态电压（V）:6
I漏率（μA）:0.5
ESD触点（kV）:12
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3001规格书
65pF、8kV、低电容二极管阵列的ESD保护
断态电压（V）:6
I漏率（μA）:
0.5ESD触点（kV）:8
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3002规格书
0.85pF、12kV、低电容二极管阵列的ESD保护
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: , 0.5
ESD触点（kV）: 12
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3003规格书
用于ESD保护的0.65pF、8kV、低电容二极管阵列——符合AEC-Q101标准
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.5
ESD触点（kV）: 8
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3004规格书
0.85pF、12kV、低电容二极管阵列的ESD保护
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.5
ESD触点（kV）: 12
瞬态抑制二极管阵列SP3006规格书
0.5pF，8kV二极管阵列
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.5
ESD触点（kV）: 8
SPA SP3010系列瞬态抑制二极管阵列规格书
用于ESD保护的超低电容二极管阵列
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.5
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3011规格书
SP3011 SPA™ 瞬态抑制二极管阵列
断态电压（V）: 6
ESD触点（kV）: 8
静电放电（空气）（kV）: 15
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3012规格书
低电容ESD保护，0.5pF
断态电压（V）: 5
I漏率（μA）: 1.5
ESD触点（kV）: 12
瞬态抑制二极管阵列SPA SP3021规格书
低电容ESD保护，0.5pF 8kV双向分散式TVS
断态电压（V）: 5
I漏率（μA）: 1
ESD触点（kV）: 8
瞬态抑制二极管阵列SP3030规格书
0.5pF 20kV单向分散式TVS——符合AEC-Q101标准
断态电压（V）: 5
I漏率（μA）: 0.1
ESD触点（kV）: 20
瞬态抑制二极管阵列SP3031规格书
低电容ESD保护，0.8pF 10kV单向分散式TVS
断态电压（V）: 6
I漏率（μA）: 0.1
ESD触点（kV）: 30
用于ESD和浪涌保护的2pF、20kV低电容二极管阵列 SRV05-4HTG
